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IDT6116LA45SOG8、IDT6116LA45SOGI、IDT6116LA45SO对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IDT6116LA45SOG8 IDT6116LA45SOGI IDT6116LA45SO

描述 IC SRAM 16Kbit 45NS 24SOICIC SRAM 16Kbit 45NS 24SOICCMOS静态RAM 16K ( 2K ×8位) CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT)

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 存储芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

封装 SOIC-24 SOIC-24 SOIC-24

电源电压 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V

封装 SOIC-24 SOIC-24 SOIC-24

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube, Rail Tube

RoHS标准

含铅标准 无铅 无铅

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99