1N5530B、JANTX1N5530B-1对比区别

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型号 1N5530B JANTX1N5530B-1

描述 DO-35 10V 400mW无铅封装用于表面安装齐纳二极管500mW的 LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT ZENER DIODE, 500mW

数据手册 --

制造商 Central Semiconductor Microsemi (美高森美)

分类 齐纳二极管

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 - 2

封装 DO-35 DO-204AH

容差 - ±5 %

正向电压 - 1.1 V

耗散功率 400 mW 500 mW

测试电流 - 1 mA

稳压值 10 V 10 V

正向电压(Max) - 1.1V @200mA

额定功率(Max) - 500 mW

工作温度(Max) - 175 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃

耗散功率(Max) - 500 mW

封装 DO-35 DO-204AH

工作温度 - -65℃ ~ 175℃

产品生命周期 Active Active

包装方式 - Bulk

RoHS标准 - Non-Compliant

含铅标准 - Contains Lead