IPD105N04LGBTMA1、IPD079N06L3 G对比区别

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型号 IPD105N04LGBTMA1 IPD079N06L3 G

描述 DPAK N-CH 40V 40AINFINEON  IPD079N06L3 G  晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 0.0063 ohm, 10 V, 1.7 V

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3

封装 TO-252-3 TO-252-3

通道数 - 1

针脚数 - 3

漏源极电阻 - 0.0063 Ω

极性 N-CH N-Channel

耗散功率 42W (Tc) 79 W

阈值电压 - 1.7 V

漏源极电压(Vds) 40 V 60 V

上升时间 - 26 ns

输入电容(Ciss) 1900pF @20V(Vds) 4900pF @30V(Vds)

额定功率(Max) - 79 W

下降时间 - 7 ns

工作温度(Max) - 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) 42W (Tc) 79W (Tc)

连续漏极电流(Ids) 40A -

长度 - 6.73 mm

宽度 - 6.22 mm

高度 - 2.413 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99