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FQP5N50C、FQU5N50CTU对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FQP5N50C FQU5N50CTU

描述 500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFETTrans MOSFET N-CH 500V 4A 3Pin(3+Tab) IPAK Rail

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

封装 TO-220-3 TO-251-3

引脚数 3 -

额定电压(DC) 500 V 500 V

额定电流 5.00 A 5.00 A

漏源极电阻 1.4 Ω 1.40 Ω

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 73 W 2.5 W

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V

漏源击穿电压 500 V 500 V

栅源击穿电压 ±30.0 V ±30.0 V

连续漏极电流(Ids) 5.00 A 4.00 A

上升时间 46 ns 46 ns

输入电容(Ciss) 625pF @25V(Vds) 625pF @25V(Vds)

下降时间 48 ns 48 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 73W (Tc) 2.5W (Ta), 48W (Tc)

通道数 1 -

额定功率(Max) 73 W -

长度 10.67 mm 6.8 mm

宽度 4.7 mm 2.5 mm

高度 16.3 mm 6.3 mm

封装 TO-220-3 TO-251-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Unknown

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99