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MS1007、SD1726、HF150-50F对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MS1007 SD1726 HF150-50F

描述 RF Power Bipolar Transistor, 1Element, High Frequency Band, Silicon, NPN, 0.5INCH, PLASTIC, M174, 4Pin射频与微波晶体管短波单边带应用 RF & MICROWAVE TRANSISTORS HF SSB APPLICATIONSRF Power Bipolar Transistor, 1Element, High Frequency Band, Silicon, NPN, 0.5INCH, FM-4

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) ST Microelectronics (意法半导体) Advanced Semiconductor

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Flange Surface Mount -

引脚数 4 4 -

封装 M-174 M-174 -

额定电压(DC) - 55.0 V -

额定电流 - 20.0 A -

耗散功率 233000 mW 318 W -

击穿电压(集电极-发射极) - 55 V -

增益 14.0 dB 14 dB -

最小电流放大倍数(hFE) - 18 @1.4A, 6V -

额定功率(Max) - 318 W -

工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

耗散功率(Max) 233000 mW 318000 mW -

输出功率 150 W - -

封装 M-174 M-174 -

高度 7.11 mm - -

材质 - Silicon -

工作温度 - 200℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Tray -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -

ECCN代码 - EAR99 -