MS1007、SD1726、HF150-50F对比区别
描述 RF Power Bipolar Transistor, 1Element, High Frequency Band, Silicon, NPN, 0.5INCH, PLASTIC, M174, 4Pin射频与微波晶体管短波单边带应用 RF & MICROWAVE TRANSISTORS HF SSB APPLICATIONSRF Power Bipolar Transistor, 1Element, High Frequency Band, Silicon, NPN, 0.5INCH, FM-4
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) ST Microelectronics (意法半导体) Advanced Semiconductor
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Flange Surface Mount -
引脚数 4 4 -
封装 M-174 M-174 -
额定电压(DC) - 55.0 V -
额定电流 - 20.0 A -
耗散功率 233000 mW 318 W -
击穿电压(集电极-发射极) - 55 V -
增益 14.0 dB 14 dB -
最小电流放大倍数(hFE) - 18 @1.4A, 6V -
额定功率(Max) - 318 W -
工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ -
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -
耗散功率(Max) 233000 mW 318000 mW -
输出功率 150 W - -
封装 M-174 M-174 -
高度 7.11 mm - -
材质 - Silicon -
工作温度 - 200℃ (TJ) -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 - Tray -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -
含铅标准 Lead Free Lead Free -
ECCN代码 - EAR99 -