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1SMC9.0AT3、SMCJ9V0A、1SMC9.0AT3G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1SMC9.0AT3 SMCJ9V0A 1SMC9.0AT3G

描述 1SMC9.0AT3 瞬态抑制二极管TVS/ESD 9.0V 97.4A 4W DO-214AB/SMC-9V 标记GDV瞬态电压抑制器 Transient Voltage Suppressors1500W 齐纳瞬态电压抑制器(单向)SMC 系列设计用于保护电压敏感组件抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。峰值功率 − 1500W @ 1.0ms 3 类 ESD 等级> (16kV)/人体模型 最高钳位电压 @ 峰值脉冲电流 低泄漏 UL 497B,用于隔离回路保护 指定了最大温度系数 响应时间通常为 ### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)

分类 TVS二极管TVS二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 2 2

封装 DO-214AB DO-214AB SMC

击穿电压 10 V 11.1 V 10 V

电路数 1 1 1

钳位电压 15.4 V 15.4 V 15.4 V

最大反向电压(Vrrm) 9V 9V 9V

测试电流 - 1 mA 1 mA

脉冲峰值功率 1500 W 1500 W 1500 W

最小反向击穿电压 10 V 10 V 10 V

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) 65 ℃ - -65 ℃

工作结温 - - -65℃ ~ 150℃

额定电压(DC) - 9.00 V -

额定功率 - 1.50 kW -

最大反向击穿电压 - 11.1 V -

击穿电压 - 10 V -

耗散功率 1.5 kW - -

长度 - 7.15 mm 7.11 mm

宽度 - 6.22 mm 6.1 mm

高度 - 2.62 mm 2.41 mm

封装 DO-214AB DO-214AB SMC

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) - -65℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99