IXFH36N60P、IXFK36N60P、IXFT36N60P对比区别

高亮显示差异参数

型号 IXFH36N60P IXFK36N60P IXFT36N60P

描述 IXYS SEMICONDUCTOR  IXFH36N60P  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 36 A, 600 V, 190 mohm, 10 V, 5 VTrans MOSFET N-CH 600V 36A 3Pin(3+Tab) TO-264AAIXYS SEMICONDUCTOR IXFT36N60P Power MOSFET, PolarFET, N Channel, 36A, 600V, 190mohm, 10V, 5V

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-247-3 TO-264-3 TO-268-3

额定电压(DC) 600 V 600 V 600 V

额定电流 36.0 A 36.0 A 36.0 A

通道数 - 1 -

漏源极电阻 0.19 Ω 190 mΩ 190 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 650 W 650 W 650 W

输入电容 5.80 nF 5.80 nF 5.80 nF

栅电荷 102 nC 102 nC 102 nC

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V

漏源击穿电压 600 V 600 V 600 V

连续漏极电流(Ids) 36.0 A 36.0 A 36.0 A

上升时间 25 ns 25 ns -

输入电容(Ciss) 5800pF @25V(Vds) 5800pF @25V(Vds) 5800pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 650 W 650 W

下降时间 22 ns 22 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 650W (Tc) 650W (Tc) 650W (Tc)

阈值电压 5 V - 5 V

反向恢复时间 200 ns - 200 ns

针脚数 3 - -

长度 16.26 mm 19.96 mm -

宽度 5.3 mm 5.13 mm -

高度 21.46 mm 26.16 mm -

封装 TO-247-3 TO-264-3 TO-268-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/06/15

REACH SVHC标准 No SVHC - -