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BZM55C12-TR3、BZX384C12、BZM55C12TR对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BZM55C12-TR3 BZX384C12 BZM55C12TR

描述 小信号齐纳二极管 Small Signal Zener DiodesBZX384C12 稳压二极管 12V 300mW/0.3W SOD323/0805-12V marking/标记 WI 低功耗Diode Zener Single 12V 5% 0.5W(1/2W) Automotive 2Pin MicroMELF T/R

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

封装 DO-213AB-2 SOD-323 MELF

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 - - 2

封装 DO-213AB-2 SOD-323 MELF

长度 1.9 mm - -

宽度 1.35 mm - -

高度 1.15 mm - -

产品生命周期 Obsolete Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) - Cut Tape (CT)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 - -

REACH SVHC标准 - - No SVHC

正向电压 1.5V @200mA - -

耗散功率 500 mW - -

测试电流 5 mA - -

稳压值 12 V - -

额定功率(Max) 500 mW - -

工作温度(Max) 175 ℃ - -

工作温度(Min) -65 ℃ - -

耗散功率(Max) 500 mW - -

击穿电压 - - 12.7 V

工作温度 -65℃ ~ 175℃ - -