IRLL2705、IRLL2705TRPBF、IRLL2705PBF对比区别

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型号 IRLL2705 IRLL2705TRPBF IRLL2705PBF

描述 SOT-223 N-CH 55V 5.2AINFINEON  IRLL2705TRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 3.8 A, 55 V, 0.04 ohm, 10 V, 2 VINFINEON  IRLL2705PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 3.8 A, 55 V, 40 mohm, 10 V, 2 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 4 3 3

封装 SOT-223 TO-261-4 TO-261-4

额定电压(DC) 55.0 V - -

额定电流 3.80 A - -

极性 N-CH N-CH N-Channel

产品系列 IRLL2705 - -

漏源极电压(Vds) 55.0 V 55 V 55 V

连续漏极电流(Ids) 3.80 A 5.2A 5.2A

上升时间 12 ns 12 ns 12 ns

输入电容(Ciss) 870pF @25V(Vds) 870pF @25V(Vds) 870pF @25V(Vds)

下降时间 22 ns 22 ns 22 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2100 mW 1W (Ta) 1W (Ta)

额定功率 - 2.1 W 2.1 W

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 - 0.04 Ω 0.04 Ω

耗散功率 - 1 W 2.1 W

阈值电压 - 2 V 2 V

输入电容 - 870 pF 870pF @25V

漏源击穿电压 - - 55 V

额定功率(Max) - 1 W -

封装 SOT-223 TO-261-4 TO-261-4

长度 - 6.7 mm 6.7 mm

宽度 - 3.7 mm 3.7 mm

高度 - 1.739 mm 1.7 mm

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Not For New Designs

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -