IRFB7434GPBF、IRFB7434PBF对比区别

高亮显示差异参数

型号 IRFB7434GPBF IRFB7434PBF

描述 MOSFET MOSFET, 40V, 195A, 1 216NC Qg, TO-220ABINFINEON  IRFB7434PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 195 A, 40 V, 0.00125 ohm, 10 V, 3 V

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 - 3

封装 TO-220-3 TO-220-3

额定功率 - 294 W

针脚数 - 3

漏源极电阻 1.25 mΩ 0.00125 Ω

极性 - N-Channel

耗散功率 294 W 294 W

阈值电压 2.2 V 3 V

输入电容 - 10820 pF

漏源极电压(Vds) 40 V 40 V

漏源击穿电压 40 V 40 V

连续漏极电流(Ids) - 317A

上升时间 68 ns 68 ns

输入电容(Ciss) 10820pF @25V(Vds) 10820pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 294 W

下降时间 68 ns 68 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 294W (Tc)

通道数 1 -

长度 10 mm 10.67 mm

宽度 4.4 mm 4.83 mm

高度 15.65 mm 16.51 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3

材质 - Silicon

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Last Time Buy Active

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99