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STTH812G、STTH812G-TR、HFA08TB120S对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 STTH812G STTH812G-TR HFA08TB120S

描述 超快恢复 - 1200 V二极管 Ultrafast recovery - 1200 V diodeSTMICROELECTRONICS  STTH812G-TR  快速/超快功率二极管, 单, 1.2 kV, 8 A, 2 V, 100 ns, 80 A1200V 8A HEXFRED Discrete Diode in a D2-Pak (HEXFRED) packagel

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) International Rectifier (国际整流器)

分类 TVS二极管TVS二极管功率二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 -

封装 TO-263-3 TO-263-3 -

额定电压(DC) - 1.20 kV 1.20 kV

额定电流 - 8.00 A 8.00 A

电容 - 12.0 pF 11.0 pF

输出电流 - ≤8.00 A ≤8.00 A

正向电压 2.2V @8A 2.2V @8A -

极性 - Standard Standard

热阻 - 1.9℃/W (RθJC) -

反向恢复时间 100 ns 100 ns -

正向电流 - 8 A -

最大正向浪涌电流(Ifsm) - 80 A -

正向电压(Max) - 2 V -

正向电流(Max) 8 A 8 A -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

工作结温 175℃ (Max) 175℃ (Max) -

长度 10.4 mm 10.4 mm -

宽度 9.35 mm 9.35 mm -

高度 4.6 mm 4.6 mm -

封装 TO-263-3 TO-263-3 -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 -

工作温度 -65℃ ~ 175℃ - -