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CY62137EV30LL-45BVXI、IS62WV12816BLL-55BLI-TR、IS62WV12816BLL-55BLI对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY62137EV30LL-45BVXI IS62WV12816BLL-55BLI-TR IS62WV12816BLL-55BLI

描述 CY62137EV30 系列 2 Mb (128 K x 16) 2.2 - 3.6 V 45 ns 静态 RAM - VFBGA-482Mb, Low Power/Power Saver,Async,128K X 16,55ns,2.5V 3.6V,48 Ball MBGA (6x8 Mm), LeadfreeSRAM, 2 Mbit, 128K x 16位, 2.5V 至 3.6V, Mini BGA, 48 引脚, 55 ns

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 RAM芯片存储芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 48 48 48

封装 VFBGA-48 BGA-48 BGA-48

电源电压(DC) 3.30 V, 3.60 V (max) 3.30 V, 3.60 V (max) 3.30 V, 3.60 V (max)

供电电流 20 mA 3 mA 3 mA

位数 16 16 16

存取时间 45 ns 55 ns 55 ns

内存容量 250000 B 2000000 B 2000000 B

存取时间(Max) 45 ns 55 ns 55 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压 2.2V ~ 3.6V 2.5V ~ 3.6V 2.5V ~ 3.6V

针脚数 - - 48

电源电压(Max) - - 3.6 V

电源电压(Min) - - 2.5 V

频率 1.00 MHz - -

封装 VFBGA-48 BGA-48 BGA-48

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tray Tape & Reel (TR) Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 3A991.b.2.a EAR99 EAR99