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1N2280、JAN1N3768、1N3768对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N2280 JAN1N3768 1N3768

描述 广颖电整流器 SILICON POWER RECTIFIER军事硅电力整流器 Military Silicon Power Rectifier电源硅整流二极管, 35 A / 40 A / 60 A Power Silicon Rectifier Diodes, 35 A/40 A/60 A

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Vishay Semiconductor (威世)

分类 功率二极管功率二极管二极管

基础参数对比

引脚数 - 2 2

封装 DO-5 DO-5-2 DO-5

额定电压(DC) - - 1.00 kV

额定电流 - - 35.0 A

输出电流 - - ≤35.0 A

正向电压 - 1.4V @110A 1.80 V

极性 - - Standard

正向电流 - 35000 mA -

正向电流(Max) - 35000 mA -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

封装 DO-5 DO-5-2 DO-5

产品生命周期 Active Obsolete Unknown

包装方式 Bulk Tray -

RoHS标准 - Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Contains Lead Lead Free

军工级 - Yes -

ECCN代码 - - EAR99