IRFL110PBF、STN1NF10、NIF9N05CLT1G对比区别

高亮显示差异参数

型号 IRFL110PBF STN1NF10 NIF9N05CLT1G

描述 功率MOSFET Power MOSFETSTMICROELECTRONICS  STN1NF10  晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 100 V, 700 mohm, 10 V, 3 V受保护的功率MOSFET Protected Power MOSFET

数据手册 ---

制造商 VISHAY (威世) ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 4 3 3

封装 TO-261-4 TO-261-4 TO-261-4

额定电压(DC) 100 V 100 V 52.0 V

额定电流 1.50 A 1.00 A 2.60 A

通道数 - 1 -

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 0.54 Ω 0.7 Ω 0.125 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 2 W 2.5 W 1.69 W

阈值电压 4 V 3 V 1.75 V

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 59 V

漏源击穿电压 100 V 100 V 52.0 V

栅源击穿电压 - ±20.0 V ±15.0 V

连续漏极电流(Ids) 1.50 A 500 mA 2.60 A

上升时间 16.0 ns 5.5 ns -

输入电容(Ciss) 180pF @25V(Vds) 105pF @25V(Vds) 250pF @35V(Vds)

额定功率(Max) 2 W 2.5 W 1.69 W

下降时间 - 6.5 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2 W 2.5W (Tc) 1.69W (Ta)

额定功率 3.1 W - -

长度 6.7 mm 6.7 mm -

宽度 3.7 mm 3.7 mm -

高度 1.45 mm 1.6 mm -

封装 TO-261-4 TO-261-4 TO-261-4

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2016/06/20

ECCN代码 - - EAR99