锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

SM8S28AHE3/2E、SM8S28AHE3/2D对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SM8S28AHE3/2E SM8S28AHE3/2D

描述 ESD 抑制器/TVS 二极管 8.0W 28V 5% Unidir AEC-Q101 QualifiedSM8S28AHE3/2D Diode TVS Single Uni-Dir 28V 6.6kW 2Pin DO-218AB T/R RoHS

数据手册 --

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 DO-218AB-2 DO-218AB

引脚数 - 2

工作电压 28 V -

击穿电压 31.1 V 31.1 V

耗散功率 6.6 kW 6.6 kW

钳位电压 45.4 V 45.4 V

脉冲峰值功率 6600 W 6600 W

最小反向击穿电压 31.1 V 31.1 V

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

测试电流 - 5 mA

最大反向击穿电压 - 34.4 V

工作结温 - -55℃ ~ 175℃

封装 DO-218AB-2 DO-218AB

长度 - 13.7 mm

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃

产品生命周期 Obsolete Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free