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JANTXV1N825-1、RH825、1N3783对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JANTXV1N825-1 RH825 1N3783

描述 6.2与6.55伏温度补偿6.2和6.55伏温度补偿 6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated 6.2 & 6.55 Volt Temperature CompensatedDO-7 6.2V 0.5W(1/2W)Diode Zener Single 6.7V 5% 400mW 2Pin DO-7

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 DO-35 DO-7 DO-7

引脚数 2 2 -

封装 DO-35 DO-7 DO-7

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk - -

容差 ±5 % - -

耗散功率 500 mW 500 mW -

测试电流 7.5 mA 7.5 mA -

稳压值 6.2 V 6.2 V -

额定功率(Max) 500 mW - -

工作温度(Max) 175 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant -

含铅标准 Contains Lead - -