1N5541B-1TR、JANTXV1N5541B、1N5541B对比区别

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型号 1N5541B-1TR JANTXV1N5541B 1N5541B

描述 DO-35 22V 0.5W(1/2W)无铅封装用于表面安装齐纳二极管500mW的 LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT ZENER DIODE, 500mW低反向漏电流特性 LOW REVERSE LEAKAGE CHARACTERISTICS

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 齐纳二极管

安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole

封装 DO-35 DO-35 DO-35

耗散功率 500 mW 500 mW -

稳压值 22 V 22 V 22 V

容差 - - ±5 %

正向电压 - - 1.1V @200mA

额定功率(Max) - - 500 mW

封装 DO-35 DO-35 DO-35

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 - - Bulk

工作温度 - - -65℃ ~ 175℃

RoHS标准 - -

含铅标准 - -