DS1258AB-100、DS1258W-100、DS1258Y-70IND#对比区别

高亮显示差异参数

型号 DS1258AB-100 DS1258W-100 DS1258Y-70IND#

描述 128K x 16 Nonvolatile SRAMIC NVSRAM 2Mbit 100NS 40EDIPNon-Volatile SRAM Module, 128KX16, 70ns, CMOS, PDIP40,

数据手册 ---

制造商 Dallas Semiconductor (达拉斯半导体) Maxim Integrated (美信) Dallas Semiconductor (达拉斯半导体)

分类 存储芯片

封装 DIP DIP-40 DIP

安装方式 - Through Hole -

引脚数 - 40 -

封装 DIP DIP-40 DIP

产品生命周期 Unknown Unknown Obsolete

包装方式 - Bulk -

电源电压(DC) - 3.30 V, 3.60 V (max) -

时钟频率 - 100 GHz -

存取时间 - 100 ns -

内存容量 - 2000000 B -

电源电压 - 3V ~ 3.6V -

工作温度 - 0℃ ~ 70℃ (TA) -

RoHS标准 - -

含铅标准 - -