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BC850CW,135、BC847CW,135、BC850B对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC850CW,135 BC847CW,135 BC850B

描述 SC-70 NPN 45V 0.1ASC-70 NPN 45V 0.1ATransistor: NPN; bipolar; 50V; 100mA; 0.25W(1/4W); SOT23

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) Diotec Semiconductor

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-323-3 SOT-323-3 SOT-23

频率 100 MHz 100 MHz 300 MHz

极性 NPN NPN -

耗散功率 0.2 W 0.2 W 0.25 W

击穿电压(集电极-发射极) 45 V 45 V -

集电极最大允许电流 0.1A 0.1A -

最小电流放大倍数(hFE) 420 @2mA, 5V 420 @2mA, 5V -

最大电流放大倍数(hFE) - 420 @2mA, 5V -

额定功率(Max) 200 mW 200 mW -

耗散功率(Max) 200 mW 200 mW 250 mW

增益频宽积 - - 100 MHz

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

封装 SOT-323-3 SOT-323-3 SOT-23

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -

材质 - - Silicon

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -