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IRFZ14PBF、IRL1004PBF、NTP30N20G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFZ14PBF IRL1004PBF NTP30N20G

描述 功率MOSFET Power MOSFETTrans MOSFET N-CH 40V 130A 3Pin(3+Tab) TO-220AB TubeNA ????通道Enhancementâ ????模式TOA ???? 220 N−Channel Enhancement−Mode TO−220

数据手册 ---

制造商 VISHAY (威世) International Rectifier (国际整流器) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) 60.0 V 40.0 V 200 V

额定电流 10.0 A 130 A 30.0 A

通道数 - 1 1

漏源极电阻 0.2 Ω 6.5 mΩ 68 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 43 W 200 W 214 W

漏源极电压(Vds) 60 V 40 V 200 V

漏源击穿电压 60.0 V 40.0 V 200 V

栅源击穿电压 - - ±30.0 V

连续漏极电流(Ids) 10.0 A 130 A 30.0 A

上升时间 50 ns 210 ns 20.0 ns

输入电容(Ciss) 300pF @25V(Vds) 5330pF @25V(Vds) 2335pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 43 W 200 W 214 W

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) 43 W - 214W (Tc)

产品系列 - IRL1004 -

阈值电压 2 V 1 V -

针脚数 3 - -

下降时间 19 ns - -

长度 10.41 mm - 10.28 mm

宽度 4.7 mm 4.4 mm 4.82 mm

高度 9.01 mm - 9.28 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tube Rail, Tube Tube

最小包装 50 - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2014/12/17 -

ECCN代码 - - EAR99