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PIC12F635T-I/MF、PIC12F635-I/SN、PIC12F635-I/P对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PIC12F635T-I/MF PIC12F635-I/SN PIC12F635-I/P

描述 MCU 8Bit PIC12 PIC RISC 1.75KB Flash 2.5V/3.3V/5V 8Pin DFN-S EP T/RMICROCHIP  PIC12F635-I/SN  微控制器, 8位, 闪存, AEC-Q100, PIC12F6xx, 20 MHz, 1.75 KB, 64 Byte, 8 引脚, SOICMICROCHIP  PIC12F635-I/P  微控制器, 8位, 闪存, AEC-Q100, PIC12F6xx, 20 MHz, 1.75 KB, 64 Byte, 8 引脚, DIP

数据手册 ---

制造商 Microchip (微芯) Microchip (微芯) Microchip (微芯)

分类 微控制器微控制器微控制器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole

引脚数 8 8 8

封装 DFN-8 SOIC-8 PDIP-8

频率 - 20 MHz 20 MHz

电源电压(DC) - 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.50 V (max)

工作电压 - 2V ~ 5.5V 2V ~ 5.5V

针脚数 - 8 8

时钟频率 20.0 MHz 20 MHz 8 MHz

RAM大小 64 x 8 64 B 64 b

位数 - 8 8

耗散功率 - 800 mW 800 mW

FLASH内存容量 - 1792 B 1.75 KB

I/O引脚数 6 6 6

存取时间 20.0 µs 20.0 µs 20.0 µs

内核架构 PIC PIC PIC

内存容量 - 1000 B 1000 B

内核子架构 PIC12 PIC12 PIC12

模数转换数(ADC) - 0 0

输入/输出数 - 6 Input 6 Input

工作温度(Max) - 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) - 800 mW 800 mW

电源电压 - 2V ~ 5.5V 2V ~ 5.5V

电源电压(Max) - 5.5 V 5.5 V

电源电压(Min) - 2 V 2 V

长度 - 4.9 mm 10.16 mm

宽度 - 3.9 mm 0.28 in

高度 - 1.5 mm 4.95 mm

封装 DFN-8 SOIC-8 PDIP-8

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 EAR99