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IRLR8721PBF、IPD090N03L G、IRLR8721TRPBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRLR8721PBF IPD090N03L G IRLR8721TRPBF

描述 INFINEON  IRLR8721PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 65 A, 30 V, 8.4 mohm, 10 V, 1.9 VINFINEON  IPD090N03L G  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 30 V, 0.0075 ohm, 10 V, 2.2 VN沟道 30 V 65 W 8.5 nC 功率Mosfet 表面贴装 - TO-252AA

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

通道数 - 1 -

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.0084 Ω 0.0075 Ω 0.0063 Ω

极性 N-CH N-Channel N-Channel

耗散功率 65 W 42 W 65 W

阈值电压 1.9 V 2.2 V 1.9 V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 - 30 V -

上升时间 30 ns 3 ns 30 ns

输入电容(Ciss) 1030pF @15V(Vds) 1600pF @15V(Vds) 1030pF @15V(Vds)

额定功率(Max) - 42 W -

下降时间 6.5 ns 2.6 ns 6.5 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 65W (Tc) 42000 mW 65W (Tc)

连续漏极电流(Ids) 65A - 65A

长度 6.73 mm 6.5 mm -

宽度 6.22 mm 6.22 mm -

高度 2.39 mm 2.3 mm -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -