IXGN200N60A2、IXGN320N60A3、STGE200NB60S对比区别

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型号 IXGN200N60A2 IXGN320N60A3 STGE200NB60S

描述 Trans IGBT Chip N-CH 600V 200A 700000mW 4Pin SOT-227BIXGN 系列 600 Vce 320 A 63 ns t(on) 超低Vsat PT IGBT - SOT-227BSTMICROELECTRONICS  STGE200NB60S  单晶体管, IGBT, 200 A, 1.2 V, 600 W, 600 V, ISOTOP, 4 引脚

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor ST Microelectronics (意法半导体)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管

引脚数 4 4 4

封装 SOT-227-4 SOT-227-4 SOT-227-4

安装方式 - Surface Mount Screw

耗散功率 700000 mW 735000 mW 600 W

击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V 600 V

输入电容(Cies) 9.9nF @25V 18nF @25V 1.56nF @25V

额定功率(Max) 700 W 735 W 600 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 700000 mW 735000 mW 600000 mW

额定电压(DC) - - 600 V

额定电流 - - 150 A

额定功率 - 735 W 600 W

针脚数 - - 4

极性 - - N-Channel

漏源极电压(Vds) - - 600 V

连续漏极电流(Ids) - - 200 A

上升时间 - - 112 ns

封装 SOT-227-4 SOT-227-4 SOT-227-4

长度 - 38.23 mm 38.2 mm

宽度 - 25.42 mm 25.5 mm

高度 - 9.6 mm 9.1 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 EAR99