BSS806NH6327XTSA1、SI2302DDS-T1-GE3对比区别

高亮显示差异参数

型号 BSS806NH6327XTSA1 SI2302DDS-T1-GE3

描述 INFINEON  BSS806NH6327XTSA1  晶体管 双极预偏置/数字, BRT, SOT-2320V,2.6A,0.075Ω,N沟道功率MOSFET

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) VISHAY (威世)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount -

引脚数 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3

针脚数 3 3

漏源极电阻 0.041 Ω 0.045 Ω

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 500 mW 710 mW

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V

上升时间 9.9 ns 7 ns

下降时间 3.7 ns 7 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 500 mW 710mW (Ta)

额定功率 0.5 W -

阈值电压 550 mV 850 mV

连续漏极电流(Ids) 2.3A 2.9A

输入电容(Ciss) 370pF @10V(Vds) -

高度 1 mm -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3

长度 2.9 mm -

宽度 1.3 mm -

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

产品生命周期 Active Active

最小包装 - 3000

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)