IRF1010NSTRR、IRF1010NSTRRPBF对比区别

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型号 IRF1010NSTRR IRF1010NSTRRPBF

描述 D2PAK N-CH 55V 85AD2PAK N-CH 55V 85A

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3

极性 N-CH N-CH

耗散功率 180W (Tc) 180 W

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V

连续漏极电流(Ids) 85A 85A

上升时间 76 ns 76 ns

输入电容(Ciss) 3210pF @25V(Vds) 3210pF @25V(Vds)

下降时间 48 ns 48 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 180W (Tc) 180W (Tc)

额定功率 - 180 W

通道数 - 1

额定功率(Max) - 180 W

封装 TO-263-3 TO-263-3

宽度 - 6.22 mm

材质 Silicon Silicon

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead 无铅