STB11NM60T4、STP11NM60FD、FCB11N60TM对比区别

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型号 STB11NM60T4 STP11NM60FD FCB11N60TM

描述 N 通道 MDmesh™，600V/650V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsN 通道 FDmesh™ 功率 MOSFET，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FCB11N60TM  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 600 V, 320 mohm, 10 V, 5 V

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-220-3 TO-263-3

额定电压(DC) 600 V 600 V 600 V

额定电流 11.0 A 11.0 A 11.0 A

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.4 Ω 0.4 Ω 0.32 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 160 W 160 W 125 W

阈值电压 4 V 4 V 5 V

漏源极电压(Vds) 650 V 600 V 600 V

漏源击穿电压 600 V 600 V 600 V

连续漏极电流(Ids) 11.0 A 11.0 A 11.0 A

上升时间 20 ns 16 ns 98 ns

输入电容(Ciss) 1000pF @25V(Vds) 900pF @25V(Vds) 1490pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 160 W 160 W 125 W

下降时间 11 ns 15 ns 56 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 160W (Tc) 160W (Tc) 125W (Tc)

输入电容 1000 pF 900 pF -

栅源击穿电压 ±30.0 V ±30.0 V -

正向电压(Max) 1.5 V - -

长度 10.4 mm 10.4 mm 10.67 mm

宽度 10.4 mm 4.6 mm 9.65 mm

高度 4.6 mm 15.75 mm 4.83 mm

封装 TO-263-3 TO-220-3 TO-263-3

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99