BSM300GAL120DLC、FD200R12KE3、FD150R12RT4对比区别

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型号 BSM300GAL120DLC FD200R12KE3 FD150R12RT4

描述 Trans IGBT Module N-CH 1.2kV 625A 7Pin 62MM62毫米C系列模块，带沟槽/场终止IGBT3和EMCON高效率二极管 62mm C-series module with trench/fieldstop IGBT3 and EmCon High Efficiency diodeINFINEON  FD150R12RT4  晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 150 A, 1.75 V, 790 W, 1.2 kV

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管

安装方式 Screw Screw Screw

引脚数 - 5 5

封装 62 mm 62MM-1 -

额定功率 - 1040 W 790 W

针脚数 - - 5

极性 - - N-Channel

耗散功率 2500 W - 790 W

击穿电压(集电极-发射极) - - 1200 V

输入电容(Cies) - - 9.3nF @25V

额定功率(Max) - - 790 W

工作温度(Max) 125 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) 40 ℃ - -40 ℃

长度 106.4 mm 106.4 mm -

宽度 61.4 mm 61.4 mm -

高度 30.5 mm 30.9 mm -

封装 62 mm 62MM-1 -

工作温度 - -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 150℃

产品生命周期 Obsolete Active Active

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17