VND1NV04-1、VND1NV04-1-E对比区别

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型号 VND1NV04-1 VND1NV04-1-E

描述 门驱动器 OMNIFET II MOSFET门驱动器 OMNIFETII FULLY AUTO PROTECT Pwr MOSFET

数据手册 --

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 FET驱动器FET驱动器

安装方式 Surface Mount Through Hole

引脚数 - 3

封装 TO-252-3 TO-252-3

输出接口数 1 1

输出电流 - 1.7 A

耗散功率 - 35000 mW

上升时间 - 500 ns

输出电流(Max) 1.7 A 1.7 A

输入数 - 1

下降时间 - 600 ns

耗散功率(Max) - 35000 mW

封装 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99