CY7C15632KV18-400BZXI、CY7C15632KV18-450BZXI对比区别

高亮显示差异参数

型号 CY7C15632KV18-400BZXI CY7C15632KV18-450BZXI

描述 72兆位QDR® II SRAM四字突发架构（ 2.5周期读延迟） 72-Mbit QDR® II SRAM Four-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)72兆位QDR® II SRAM四字突发架构（ 2.5周期读延迟） 72-Mbit QDR® II SRAM Four-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)

数据手册 --

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 存储芯片RAM芯片

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 165 165

封装 FBGA-165 FBGA-165

位数 18 18

存取时间 0.45 ns 0.45 ns

存取时间(Max) 0.45 ns 0.45 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V

电源电压(Max) 1.9 V -

电源电压(Min) 1.7 V -

高度 0.89 mm 0.89 mm

封装 FBGA-165 FBGA-165

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown

包装方式 Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

ECCN代码 - 3A991.b.2.a