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IS42S32160B-75EBLI、IS42S32160F-75EBLI对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS42S32160B-75EBLI IS42S32160F-75EBLI

描述 IC SDRAM 512Mbit 133MHz 90BGA512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 133MHz @CL2 , 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT

数据手册 --

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 RAM芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 TFBGA-90 BGA-90

引脚数 - 90

电源电压 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V

供电电流 - 210 mA

位数 - 32

存取时间 - 6 ns

存取时间(Max) - 7.5 ns

工作温度(Max) - 85 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃

封装 TFBGA-90 BGA-90

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 Tray Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅

ECCN代码 - EAR99