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1N4112-BP、JAN1N4112-1、1N4112-1对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N4112-BP JAN1N4112-1 1N4112-1

描述 DO-35 19V 0.5W(1/2W)硅500毫安低噪声齐纳二极管 SILICON 500mA LOW NOISE ZENER DIODESDiode Zener Single 18V 5% 0.5W(1/2W) 2Pin DO-35

数据手册 ---

制造商 Micro Commercial Components (美微科) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - - 2

封装 DO-35 DO-204AH DO-35

耗散功率 500 mW - 0.5 W

测试电流 - - 0.25 mA

稳压值 19 V 18 V 18 V

工作温度(Max) - - 175 ℃

工作温度(Min) - - -65 ℃

容差 - ±5 % -

正向电压 - 1.1V @200mA -

封装 DO-35 DO-204AH DO-35

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 - Bulk Bag

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 - -

工作温度 - -65℃ ~ 175℃ -