锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

IRL520N、IRL520NPBF、IRL520对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRL520N IRL520NPBF IRL520

描述 TO-220AB N-CH 100V 10AINFINEON  IRL520NPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 100 V, 180 mohm, 10 V, 2 VPower Field-Effect Transistor, 10A I(D), 100V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-Oxide Semiconductor FET, TO-220AB, LEAD FREE PACKAGE-3

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

封装 TO-220 TO-220-3 -

引脚数 - 3 -

额定电压(DC) 100 V - -

额定电流 10.0 A - -

极性 N-CH N-Channel -

产品系列 IRL520N - -

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V -

连续漏极电流(Ids) 10.0 A 10A -

上升时间 35.0 ns 35 ns -

额定功率 - 48 W -

通道数 - 1 -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 0.18 Ω -

耗散功率 - 48 W -

阈值电压 - 2 V -

输入电容 - 440 pF -

漏源击穿电压 - 100 V -

输入电容(Ciss) - 440pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) - 48 W -

下降时间 - 22 ns -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 48W (Tc) -

封装 TO-220 TO-220-3 -

长度 - 10 mm -

宽度 - 4.4 mm -

高度 - 8.77 mm -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk Tube -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -