CY14B101LA-ZS25XI、CY14B101LA-ZS25XIT、MR0A08BYS35对比区别

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型号 CY14B101LA-ZS25XI CY14B101LA-ZS25XIT MR0A08BYS35

描述 RAM，Cypress Semiconductor### 非易失 RAM (NVRAM)NVRAM 是包含 CMOS 静态 RAM 和不可充电锂电池的模块，用于在断开电源时保存数据。 系列中部分器件还集成了实时时钟 (RTC)。1兆位（ 128K ×8 / 64K ×16 ）的nvSRAM 1 Mbit (128K x 8/64K x 16) nvSRAMMR0A08 系列 128 K x 8 位 3.3 V 35 ns 异步 MRAM 存储器 - TSOP II-44

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Everspin Technologies

分类 RAM芯片存储芯片存储芯片

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 44 44 44

封装 TSOP-44 TSOP-44 TSOP-44

供电电流 70 mA - 65 mA

存取时间 25 ns - 35 ns

存取时间(Max) 25 ns 25 ns 35 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ 0 ℃

电源电压 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V

电源电压(Max) - - 3.6 V

电源电压(Min) - - 3 V

时钟频率 1 MHz - -

封装 TSOP-44 TSOP-44 TSOP-44

长度 18.52 mm - -

宽度 10.262 mm - -

高度 1.044 mm - -

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 Tray Tape & Reel (TR) Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅 Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99 -