CY7C1525KV18-250BZXI、CY7C1525KV18-250BZXIT、GS8662Q09GE-250I对比区别

高亮显示差异参数

型号 CY7C1525KV18-250BZXI CY7C1525KV18-250BZXIT GS8662Q09GE-250I

描述 72 - Mbit的QDR II SRAM 2字突发架构双字突发所有访问 72-Mbit QDR II SRAM 2-Word Burst Architecture Two-word burst on all accesses静态随机存取存储器 72Mb (8Mx9) 1.8v 250Mhz QDR II 静态随机存取存储器SRAM Chip Sync Dual 1.8V 72M-Bit 8M x 9Bit 0.45ns 165Pin FBGA

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) GSI

分类 存储芯片存储芯片RAM芯片

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 165 - -

封装 FBGA-165 LBGA-165 -

供电电流 640 mA - -

时钟频率 250 MHz - -

位数 9 9 -

存取时间 0.45 ns - -

存取时间(Max) 0.45 ns 0.45 ns -

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ -

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -

电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V -

电源电压(Max) 1.9 V - -

电源电压(Min) 1.7 V - -

长度 15 mm - -

宽度 13 mm - -

高度 0.89 mm - -

封装 FBGA-165 LBGA-165 -

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) -

产品生命周期 Unknown Unknown -

包装方式 Tray Tape & Reel (TR) Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free 无铅 -

ECCN代码 3A991.b.2.a - -