ISL55190IBZ、TS507CD、ISL55190IBZ-T13对比区别

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型号 ISL55190IBZ TS507CD ISL55190IBZ-T13

描述 单路和双路超低噪音，超低失真，低功耗运算放大器 Single and Dual Ultra-Low Noise, Ultra-Low Distortion, Low Power Op Amp高精密轨至轨运算放大器 High precision rail-to-rail operational amplifier单路和双路超低噪音，超低失真，低功耗运算放大器 Single and Dual Ultra-Low Noise, Ultra-Low Distortion, Low Power Op Amp

数据手册 ---

制造商 Intersil (英特矽尔) ST Microelectronics (意法半导体) Intersil (英特矽尔)

分类 放大器、缓冲器放大器、缓冲器运算放大器

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SOIC-8 SO-8 SOIC-8

引脚数 - 8 -

供电电流 30 mA 850 µA 30 mA

电路数 1 1 1

通道数 1 - 1

增益频宽积 800 MHz 1.9 MHz 800 MHz

过温保护 No - No

输入补偿电压 300 µV 25 µV 300 µV

输入偏置电流 25 µA 8 nA 25 µA

工作温度(Max) - 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) - 0 ℃ 40 ℃

电源电压(Max) - - 5 V

电源电压(Min) - - 3 V

增益带宽 800 MHz - -

电源电压(DC) - 6.00 V -

转换速率 - 600 mV/μs -

共模抑制比(Min) - 94 dB -

长度 - - 5 mm

宽度 - - 4 mm

高度 - - 1.5 mm

封装 SOIC-8 SO-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 85℃ 0℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free