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CY62256LL-55SNI、CY62256NLL-55SNXE、CY62256NLL-55SNXET对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY62256LL-55SNI CY62256NLL-55SNXE CY62256NLL-55SNXET

描述 256K ( 32K ×8 )静态RAM 256K (32K x 8) Static RAMRAM 存储器,Cypress Semiconductor### SRAM(静态随机存取存储器)CY62256N 系列 256 Kb (32 K x 8) 4.5 - 5.5 V 55 ns 静态RAM - SOIC-28

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 RAM芯片RAM芯片存储芯片

基础参数对比

封装 SNC N SOIC-28 SOIC-28

安装方式 - Surface Mount -

引脚数 - 28 28

电源电压 5 V 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V

时钟频率 - 1 MHz -

位数 - 8 8

存取时间 - 55 ns -

存取时间(Max) - 55 ns 55 ns

工作温度(Max) - 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃ -40 ℃

电源电压(Max) - 5.5 V -

电源电压(Min) - 4.5 V -

封装 SNC N SOIC-28 SOIC-28

长度 - 18.03 mm -

宽度 - 0.3 in -

高度 - 2.79 mm -

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 - Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

工作温度 - -40℃ ~ 125℃ (TA) -40℃ ~ 125℃ (TA)

ECCN代码 - EAR99 EAR99