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MSMBJ2K3.3E3、MSMBJ2K3.3对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MSMBJ2K3.3E3 MSMBJ2K3.3

描述 ESD 抑制器/TVS 二极管 Transient Voltage SuppressorSMB 3.3V 2000W

数据手册 --

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 2 2

封装 DO-214AA-2 DO-214AA

电路数 - 1

钳位电压 5.8 V 5.8 V

最大反向电压(Vrrm) 3.3V 3.3V

测试电流 50 mA 50 mA

脉冲峰值功率 2000 W 2000 W

最小反向击穿电压 4.6 V 4.6 V

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃

工作结温 - -65℃ ~ 150℃

击穿电压 4.6 V -

封装 DO-214AA-2 DO-214AA

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead