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V8P10HM3/87A、V8P10-E3/87A、V8P10HM3/86A对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 V8P10HM3/87A V8P10-E3/87A V8P10HM3/86A

描述 高电流密度表面贴装Trench MOS势垒肖特基整流器 High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier高电流密度表面贴装Trench MOS势垒肖特基整流器 High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky RectifierTMBS - Trench MOS 势垒肖特基整流器,高达 20A,Vishay SemiconductorVishay 的 Trench MOS 势垒肖特基 (TMBS) 整流器系列包含专利 Trench 结构。 与平面肖特基整流器相比,TMBS 整流器可提供多个优势。 工作电压为 45V 及更高时平面肖特基整流器就失去了其快速转换速度的优势,且低正向压降到极度程度。 专利型 TMBS 结构通过少量缩减向漂移区域的载体注入来解决这些问题,从而最大程度减少积累电荷并提高转换速度。### 特点专利 Trench 结构 提高交流/直流开关模式电源和直流/直流转换器的效率 高功率密度和低正向电压 ### 肖特基整流器,Vishay Semiconductor

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 TVS二极管TVS二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-277-3 PowerDFN-3 TO-277-3

引脚数 - - 3

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ - -40 ℃

输出电流 - ≤8.00 A -

正向电压 - 680mV @8A 680mV @8A

极性 - Standard -

正向电压(Max) - 680mV @8A 680mV @8A

正向电流 - - 8 A

正向电流(Max) - - 8 A

长度 6.15 mm - 6.15 mm

宽度 4.75 mm - 4.75 mm

高度 1.2 mm - 1.2 mm

封装 TO-277-3 PowerDFN-3 TO-277-3

工作温度 -40℃ ~ 150℃ - -40℃ ~ 150℃

产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free