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2N6277、JANTX2N6277、2N6284对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N6277 JANTX2N6277 2N6284

描述 NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTORPNP功率硅晶体管 PNP POWER SILICON TRANSISTORt-Npn Si-Darlington Amp

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) NTE Electronics

分类 双极性晶体管双极性晶体管分立器件

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 3 3 -

封装 TO-3 TO-3 -

极性 - NPN -

耗散功率 250 W 250 W -

击穿电压(集电极-发射极) - 150 V -

集电极最大允许电流 - 50A -

最小电流放大倍数(hFE) - 30 @20A, 4V -

额定功率(Max) - 250 W -

工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

耗散功率(Max) 250000 mW 250000 mW -

封装 TO-3 TO-3 -

材质 Silicon Silicon -

工作温度 - -65℃ ~ 200℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tray Tray -

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Contains Lead -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -