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1N6132、JANTX1N6132、JANTXV1N6132对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N6132 JANTX1N6132 JANTXV1N6132

描述 ESD Suppressors / TVS Diodes T MET BI 500W 12V双向瞬态抑制器 BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS双向瞬态抑制器 BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS

数据手册 ---

制造商 Semtech Corporation Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 TVS二极管二极管二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 Axial Axial B

最大反向电压(Vrrm) - 91.2V 91.2V

脉冲峰值功率 - 500 W 500 W

最小反向击穿电压 - 108.3 V 108.3 V

额定功率 500 W - -

击穿电压 108 V - -

耗散功率 500 W - -

钳位电压 172.9 V - -

工作温度(Max) 175 ℃ - -

工作温度(Min) 65 ℃ - -

封装 Axial Axial B

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active - Active

包装方式 - Bulk Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Contains Lead