ARF1519、MRFE6P3300HR3、MRF377对比区别

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型号 ARF1519 MRFE6P3300HR3 MRF377

描述 RF功率MOSFET N沟道增强模式 RF POWER MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODERF Power Transistor,470 to 860MHz, 300W, Typ Gain in dB is 20.4 @ 860MHz, 32V, LDMOS, SOT1856MRF377, MRF377R3, MRF377R5 470-860MHz, 240W, 32V Lateral N-Channel RF Power MOSFET

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) NXP (恩智浦) Motorola (摩托罗拉)

分类 晶体管MOS管

引脚数 4 5 -

封装 Die NI-860C3 -

安装方式 - Screw -

频率 13.56 MHz 857MHz ~ 863MHz -

额定电流 20 A 10 µA -

耗散功率 1350000 mW - -

输出功率 750 W 270 W -

增益 20 dB 20.4 dB -

输入电容(Ciss) 4600pF @150V(Vds) 106pF @32V(Vds) -

工作温度(Max) 175 ℃ 225 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -

耗散功率(Max) 1350000 mW - -

额定电压 1000 V 66 V -

无卤素状态 - Halogen Free -

测试电流 - 1.6 A -

电源电压 - 32 V -

高度 7.62 mm - -

封装 Die NI-860C3 -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Bulk Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

工作温度 - -65℃ ~ 225℃ -

ECCN代码 - EAR99 -