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CY62127DV30LL-55ZI、CY62127DV30LL-55ZXI、CY62126DV30LL-55BVXI对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY62127DV30LL-55ZI CY62127DV30LL-55ZXI CY62126DV30LL-55BVXI

描述 1 MB ( 64K ×16 )静态RAM 1-Mb (64K x 16) Static RAM1 MB ( 64K ×16 )静态RAM 1-Mb (64K x 16) Static RAM1兆位( 64K ×16 )静态RAM 1-Mbit (64K x 16) Static RAM

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 RAM芯片存储芯片RAM芯片

基础参数对比

封装 TSOP TSOP-44 VFBGA

安装方式 - Surface Mount -

引脚数 - 44 -

封装 TSOP TSOP-44 VFBGA

高度 - 1.04 mm -

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 - Tray -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

电源电压(DC) - 3.30 V, 3.60 V (max) -

时钟频率 - 55.0 GHz -

位数 - 16 -

存取时间 - 55 ns -

内存容量 - 1000000 B -

存取时间(Max) - 55 ns -

工作温度(Max) - 85 ℃ -

工作温度(Min) - -40 ℃ -

电源电压 - 2.2V ~ 3.6V -

工作温度 - -40℃ ~ 85℃ -