IPP60R099CP、SIHP30N60E-GE3、P33对比区别

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型号 IPP60R099CP SIHP30N60E-GE3 P33

描述 INFINEON  IPP60R099CP  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 31 A, 650 V, 0.09 ohm, 10 V, 3 VE系列功率MOSFET E Series Power MOSFETPower Field-Effect Transistor, 33A I(D), 600V, 0.099ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT PACKAGE-3

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) VISHAY (威世) Vishay Intertechnology

分类 MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 3 3 -

封装 TO-220-3 TO-220-3 -

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 0.09 Ω 125 mΩ -

极性 N-Channel N-Channel -

耗散功率 255 W 250 W -

漏源极电压(Vds) 650 V 600 V -

连续漏极电流(Ids) 31.0 A 29A -

上升时间 5 ns 32 ns -

输入电容(Ciss) 2800pF @100V(Vds) 2600pF @100V(Vds) -

额定功率(Max) 255 W 250 W -

下降时间 5 ns 36 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 255 W 250 W -

阈值电压 3 V - -

长度 10 mm 10.51 mm -

宽度 4.4 mm 4.65 mm -

高度 15.65 mm 15.49 mm -

封装 TO-220-3 TO-220-3 -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube -

最小包装 - 50 -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 - -