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TPCC8003-H(TE12LQM、TPCC8066-H,LQ(S对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TPCC8003-H(TE12LQM TPCC8066-H,LQ(S

描述 MOSFET N-CH 30V 13A 8TSON8-TSON高级

数据手册 --

制造商 Toshiba (东芝) Toshiba (东芝)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 TSON-Advance-8 TSON-8

极性 - N-CH

耗散功率 700mW (Ta), 22W (Tc) 700mW (Ta), 17W (Tc)

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) - 11A

输入电容(Ciss) 1300pF @10V(Vds) 1100pF @10V(Vds)

耗散功率(Max) 700mW (Ta), 22W (Tc) 700mW (Ta), 17W (Tc)

通道数 1 -

漏源击穿电压 30 V -

额定功率(Max) 22 W -

封装 TSON-Advance-8 TSON-8

长度 3.1 mm -

宽度 3.1 mm -

高度 0.85 mm -

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free