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M58BW016FB7T3F、M58BW016FB7T3T对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 M58BW016FB7T3F M58BW016FB7T3T

描述 NOR Flash Parallel/Serial 3V/3.3V 16Mbit 512K x 32Bit 70ns 80Pin PQFP T/R16Mbit (512Kbit x 32, boot block, burst) 3V supply Flash memories

数据手册 --

制造商 Micron (镁光) Numonyx

分类 Flash芯片

基础参数对比

引脚数 80 -

封装 QFP QFP

供电电流 40 mA -

位数 32 -

存取时间(Max) 70 ns -

工作温度(Max) 125 ℃ -

工作温度(Min) -40 ℃ -

封装 QFP QFP

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -

产品生命周期 Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free -

ECCN代码 EAR99 -