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5962-8866206YA、IDT71256S25LB、NS41256S25E/883对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 5962-8866206YA IDT71256S25LB NS41256S25E/883

描述 SRAM Chip Async Single 5V 256Kbit 32K x 8 25ns 32Pin CLLCCCMOS静态RAM 256K ( 32K ×8位) CMOS STATIC RAM 256K (32K x 8-BIT)32KX8 STANDARD SRAM, 25ns, CQCC32, 0.450 X 0.550 INCH, CERAMIC, LCC-32

数据手册 ---

制造商 E2V Integrated Device Technology (艾迪悌) TI (德州仪器)

分类

基础参数对比

封装 QCCN QCCN QCCN

安装方式 Surface Mount - -

引脚数 32 - -

封装 QCCN QCCN QCCN

产品生命周期 Active Obsolete Obsolete

位数 8 - -

存取时间(Max) 25 ns - -

工作温度(Max) 125 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

RoHS标准 Non-Compliant - -

ECCN代码 3A001.a.2.c - -