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SI8274GB4D-IM1、SI8274GB4D-IM1R对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SI8274GB4D-IM1 SI8274GB4D-IM1R

描述 门驱动器 4A, 2.5 kV High CMTI HS/LS Dual Gate DriverDGTL ISO 2.5KV GATE DRVR 14LGA

数据手册 --

制造商 Silicon Labs (芯科) Silicon Labs (芯科)

分类

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 QFN-14 VDFN-14

上升/下降时间 10.5ns, 13.3ns 10.5ns, 13.3ns

输出电压 4.2V ~ 30V -

输出电流 10 mA -

通道数 2 2

耗散功率 1.2 W -

上升时间 10.5 ns -

隔离电压 2500 Vrms 2500 Vrms

下降时间 13.3 ns -

工作温度(Max) 125 ℃ -

工作温度(Min) -40 ℃ -

封装 QFN-14 VDFN-14

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Active

RoHS标准

含铅标准 无铅 Lead Free