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PIC12F683-I/MD、PIC12F683-E/MF、PIC12F683-E/MD对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PIC12F683-I/MD PIC12F683-E/MF PIC12F683-E/MD

描述 MICROCHIP  PIC12F683-I/MD  微控制器, 8位, 闪存, AEC-Q100, PIC12F6xx, 20 MHz, 3.5 KB, 128 Byte, 8 引脚, DFNPIC12 8位 微控制器 带3.5 KB闪存 采用8引脚DFN封装MICROCHIP(美国微芯)/PIC12F683-E/MD 管装

数据手册 ---

制造商 Microchip (微芯) Microchip (微芯) Microchip (微芯)

分类 微控制器微控制器微控制器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 DFN-8 DFN-8 DFN-8

频率 20 MHz - 20 MHz

电源电压(DC) 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.50 V (max)

工作电压 2V ~ 5.5V - -

针脚数 8 - -

时钟频率 8.00 MHz, 20.0 MHz 20.0MHz (max) 20.0 MHz

RAM大小 128 B 128 x 8 128 B

位数 8 - 8

FLASH内存容量 3.5 KB - -

I/O引脚数 6 6 6

存取时间 20.0 µs 20.0 µs 20.0 µs

内核架构 PIC PIC PIC

内存容量 3500 B - -

模数转换数(ADC) 1 1 1

输入/输出数 6 Input - -

工作温度(Max) 85 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压 2V ~ 5.5V 2V ~ 5.5V 2V ~ 5.5V

电源电压(Max) 5.5 V - 5.5 V

电源电压(Min) 2 V - 2 V

耗散功率 - - 800 mW

耗散功率(Max) - 800 mW 800 mW

内核子架构 - PIC12 -

长度 4 mm 5 mm -

宽度 4 mm 6 mm -

高度 0.88 mm 0.84 mm -

封装 DFN-8 DFN-8 DFN-8

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17

ECCN代码 3A991.a.2 EAR99 EAR99

HTS代码 - - 8542310001