CY7C1513KV18-250BZI、CY7C1513KV18-250BZXI对比区别

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型号 CY7C1513KV18-250BZI CY7C1513KV18-250BZXI

描述 CY7C1513V18 72 Mb (4 M x 18) 250 MHz 1.8 V QDR™-II 4-字突发 SRAM - FBGA-16572 - Mbit的QDR II SRAM 4字突发架构 72-Mbit QDR II SRAM 4-Word Burst Architecture

数据手册 --

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 RAM芯片RAM芯片

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 165 165

封装 FBGA-165 FBGA-165

位数 18 18

存取时间 0.45 ns 0.45 ns

存取时间(Max) 0.45 ns 0.45 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V

电源电压(Max) 1.9 V 1.9 V

电源电压(Min) 1.7 V 1.7 V

供电电流 500 mA -

时钟频率 250 MHz -

高度 0.89 mm 0.89 mm

封装 FBGA-165 FBGA-165

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Unknown Unknown

包装方式 Tray Tray

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead 无铅

ECCN代码 3A991.b.2.a 3A991.b.2.a