1N757C-1E3TR、JANTX1N757C-1、JANTXV1N757C-1对比区别
型号 1N757C-1E3TR JANTX1N757C-1 JANTXV1N757C-1
描述 DO-35 9.1V 0.5W(1/2W)SILICON 400毫瓦齐纳二极管 SILICON 400 mW ZENER DIODESSILICON 400毫瓦齐纳二极管 SILICON 400 mW ZENER DIODES
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)
分类 齐纳二极管齐纳二极管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 DO-35 DO-204AH DO-35
容差 - ±2 % ±2 %
正向电压 - 1.1V @200mA 1.1V @200mA
稳压值 9.1 V 9.1 V 9.1 V
额定功率(Max) - 500 mW 500 mW
耗散功率 500 mW - -
封装 DO-35 DO-204AH DO-35
工作温度 - -65℃ ~ 175℃ -65℃ ~ 175℃
产品生命周期 Obsolete Active Active
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 -